پاورپوينت ترانزيستورهاي اثر ميدان (FET)

 براي توضيحات بيشتر و دانلود كليك كنيد

پاورپوينت ترانزيستورهاي اثر ميدان (FET)

دسته:
پاورپوينت
بازديد: 1 بار
فرمت فايل: ppt
حجم فايل: 1874 كيلوبايت
تعداد صفحات فايل: 20

دانلود پاورپوينت ترانزيستورهاي اثر ميدان (FET)
بررسي
ترانزيستورهاي اثر ميدان (FET)
پاورپوينت جامع و كامل
ترانزيستورهاي اثر ميدان (FET)
كاملترين پاورپوينت ترانزيستورهاي
اثر ميدان (FET)
پكيج پاورپوينت ترانزيستورهاي اثر ميدان (FET)
مقاله ترانزيستورهاي اثر ميدان (FET)
تحقيق ترانزيستورهاي اثر
ميدان (FET)

قيمت فايل فقط 5,000 تومان



نوع فايل: پاورپوينت (قابل
ويرايش)

 قسمتي از متن پاورپوينت :

تعداد اسلايد : 20 صفحه

ترانزيستورهاي اثر ميدان (FET) الكترونيك ديجيتال ترانزيستور اثر
ميدان
Field Effect Transistor الكترونيك ديجيتال ترانزيستور اثر ميدان،
دسته‌اي ازترانزيستورها هستند كه مبناي كار كنترل جريان در آن‌ها
توسط يك ميدان الكتريكي صورت مي‌گيرد. با توجه به اينكه در اين
ترانزيستورها تنها يك نوع حامل بار (الكترون آزاد يا حفره) در
ايجاد جريان الكتريكي دخالت دارند، مي‌توان آن‌ها را جزو
ترانزيستورهاي تك‌قطبي محسوب كرد كلمه ترانزيستور از دو كلمه
ترانس (انتقال) و رزيستور (مقاومت) تشكيل شده است و قطعه اي است
كه از طريق انتقال مقاومت به خروجي باعث تقويت مي شود. تعريف
الكترونيك ديجيتال اگر قطعه اي سيليكن با ناخالصي نوع n به دو سر
يك باتري وصل كنيم جرياني با توجه به ميزان مقاومت سيليكن در مدار
جاري مي شود ورود الكترون ها خروج الكترون ها ايجاد ترانزيستور
اثر ميدان (FET) الكترونيك ديجيتال نفوذ فلز سه ظرفيتي (مانند
اينديم) و ايجاد ناحيه اي از نوع P با غلظتي بيش از ناحيه n
و ايجاد اتصالي به نام گيت ناحيه n كانال ناميده مي شود باياس
ترانزيستور و نحوه كاركرد آن الكترونيك ديجيتال اگر هر سه پايه
سورس و درين را اتصال كوتاه كنيم هيچ جرياني از كانال نمي گذرد و
دو ناحيه P و n توسط ناحيه تخليه از هم جدا مي شوند. 1 الكترونيك
ديجيتال اتصال منبع ولتاژ بين دو پايه درين و سورس به طوري كه
درين نسبت به سورس مثبت تر باشد باعث :
افزايش ولتاژ باعث عبور جريان از كانال مي شود
اتصال pn در گرايش معكوس قرار مي گيرد
ناحيه تخليه (سد) در داخل كانال نفوذ مي كند
با افزايش بيشتر ولتاژ كانال مسدود مي شود. (ولتاژ بحراني Vp) در
هنگام رسيدن به ولتاژ بحراني جريان FET به حداكثر (جريان اشباع
درين – سورس) مي رسد افزايش بيش از حد ولتاژ
درين – سورس باعث شكست بهمني يا سوختن ترانزيستور مي شود 2 باياس
ترانزيستور و نحوه كاركرد آن الكترونيك ديجيتال 3 باياس
ترانزيستور و نحوه كاركرد آن 4 افزايش

VDS الكترونيك ديجيتال اتصال منبع ولتاژ بين گيت و سورس در جهت
معكوس باعث:
– گسترش هر چه سريعتر ناحيه تخليه در كانال باياس ترانزيستور و
نحوه كاركرد آن 5 در صورتيكه ولتاژ درين – سورس را بيش از ولتاژ
بحراني انتخاب كنيم:
با افزايش ولتاز گيت سورس سرانجام جريان درين صفر خواهد شد. كه به
اين ولتاژ ، ولتاژ قطع يا آستانه ناميده مي شود. الكترونيك
ديجيتال درعمل به منظور داشتن مشخصات الكتريكي بهتر ناحيه گيت را
در دو طرف كانال ايجاد مي كنند و اين دو ناحيه از داخل به هم متصل
مي شود. در اين حالت پيشروي ناحيه تخليه متناسب خواهد بود
الكترونيك ديجيتال علامت اختصاري FET الكترونيك ديجيتال الكترونيك
ديجيتال در اين ترانزيستور تغييرات جريان درين وابسته به تغييرات
VDS و VGS مي باشد منحني مشخصه
FET ناحيه قطع : رسيدن ولتاژ VGS به ولتاژ آستانه و تسخير كانال
توسط ناحيه تخليه هيچ جرياني از درين نمي گذرد ناحيه خطي: در اين
ناحيه ترانزيستور مانند مقاومت خطي عمل مي كند و مقدار آن با
مقدار VGS تغيير مي كند. ناحيه اشباع: در اين ناحيه ترانزيستور
مانند منبع جريان ثابت عمل مي كند شرط حضور ترانزيستور در اين
ناحيه :
VDS  VP + VGS ترانزيستور اثر ميدان با گيت عايق شده
Isolated Gate Field Effect Transistor (IGFET) الكترونيك ديجيتال
به دليل افزايش جريان نشتي گيت – سورس با افزايش دماي محيط و كاهش
مقاومت ورودي آن گيت ترانزيستور با يك لايه اكسيد سيليكون از
كانال جدا شده و هيچ جرياني از آن عبور نمي كند . (مقاومت ورودي
بي نهايت)
ترانزيستورجديد MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) ناميده مي
شود. N Channel Mosfet الكترونيك ديجيتال الكترونيك ديجيتال عرض
كانال (W) و طول كانال (L)
در نوع N channel بدنه از نوع p و در نوع p كانال بدنه از نوع n
ساخته مي شود. N Channel Mosfet الكترونيك ديجيتال N Channel
Mosfet عملكرد ترانزيستور با ولتاژ گيت صفر
دو لايه فلزي موازي گيت و بدنه صفحات يك خازن و لايه اكسيد نيز
عايق آن را تشكيل مي دهد.
دو اتصال pn (اتصال سورس – بدنه و درين – بدنه) دو ديود پشت به
پشت را تشكيل مي دهد
پايه هاي سورس و درين بوسيله دو ناحيه تخليه ايزوله شده و جرياني
بين آن ها برقرار نيست.

---

توجه: متن بالا فقط قسمت كوچكي از
محتواي فايل پاورپوينت بوده و بدون ظاهر گرافيكي مي باشد و پس از
دانلود، فايل كامل آنرا با تمامي اسلايدهاي آن دريافت مي كنيد.

قيمت فايل فقط 5,000 تومان



برچسب ها :
دانلود پاورپوينت ترانزيستورهاي اثر ميدان (FET) ,
بررسي ترانزيستورهاي اثر ميدان (FET) ,
پاورپوينت جامع و كامل ترانزيستورهاي اثر ميدان (FET) ,

كاملترين پاورپوينت ترانزيستورهاي اثر ميدان (FET) ,
پكيج پاورپوينت ترانزيستورهاي اثر ميدان (FET) ,
مقاله ترانزيستورهاي اثر ميدان (FET) ,
تحقيق ترانزيستورهاي اثر ميدان (FET)